Od autora  7
Streszczenie  8
Summary  10
Wykaz symboli i oznaczeń  12
Lista akronimów anglojęzycznych  15
Wstęp  17
1. Technologie cienkowarstwowe w elektronice  19
1.1. Metody otrzymywania cienkich warstw  20
1.2. Cienkie warstwy w elementach elektronicznych otrzymywane techniką rozpylania jonowego  21
1.3. Badane materiały  24
2. Rozpylanie jonowe  32
2.1. Oddziaływanie jonów z tarczą  32
2.2. Stałoprądowe wyładowanie jarzeniowe  33
2.3. Transport materiału do podłoża i wzrost warstw  36
3. Diagnostyka plazmy wyładowania jarzeniowego  40
3.1. Emisyjna spektroskopia optyczna – OES  41
3.2. Pomiary sondą Langmuira  44
4. Rozpylanie magnetronowe  48
4.1. Budowa i działanie planarnego magnetronu  50
4.2. Zasilanie katody magnetronowej  55
4.2.1. Stanowisko do badania procesu rozpylania technika magnetronową  62
4.3. Badanie procesu rozpylania magnetronowego  64
4.3.1. Spektroskopia plazmy wyładowania jarzeniowego w układzie magnetronowym  64
4.3.2. Procesy zachodzące przy dużej gęstości mocy wydzielanej na katodzie  68
5. Rozpylanie reaktywne  77 
5.1. Charakterystyka procesu reaktywnego rozpylania  78
5.2. Spektroskopia plazmy w procesie reaktywnego rozpylania  82
5.3. Analiza procesu reaktywnego rozpylania  90
5.3.1. Model teoretyczny  90
5.3.2. Parametry i charakterystyki procesu reaktywnego rozpylania magnetronowego  96
6. Kontrola i sterowanie procesem nanoszenia warstw  109
6.1. Aparatura do nanoszenia cienkich warstw  110
6.2. Warstwy otrzymane w atmosferze argon–tlen i argon–azot  111
6.3. Warstwy otrzymywane w atmosferze argon–azot–tlen  123
7. Podsumowanie  134
Literatura  136